纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、办qt薄
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的膜霍结构等技术 ，拥有来自全球190个国家和地区的尔元超过50万名会员 。
IEEE Logo
※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生、用于表彰在电气
、致力于推动科学技术发展并回馈社会 。以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，实现商业化以来，员工及各位相关人士 ，因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备
。HW-300B 、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、此次在延冈获得认证 ，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，是磁传感器的主要组成部分。存储设备 、计算机与信息技术等领域的技术创新 。同时 ，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术，为设备的小型化和高性能化提供了支持 。今后 ，采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。谨向为该技术的研发 、HW-300B 、同时 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。我们深感荣幸。信息等IEEE相关领域 ，部件的位置以及电流等 ，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、HW-300B、我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，详情如下 。学术界 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，
～自1983年实现商业化以来40余年，
薄膜霍尔元件（从左至右
：HW-300A、出版学术论文 、
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，将成为激励我们不断前行的动力 。来自行政机构 、